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電力電子器件價(jià)格參考及電力電子器件詳解

時間 : 2025-01-29     

電力電子器件,它的功能主要是用于電能變換和控制電路大功率。它是在60年代出現(xiàn)在人們的視線中的,它的出現(xiàn)也帶來了很大的便利?,F(xiàn)在,電力電子器件正朝著大功率化、高頻化和集成化的方向發(fā)展。它未來的發(fā)展是非??捎^的。大家可能對電力電子器件并不是很熟悉,因?yàn)樵谌粘I钪胁⒉怀R?。下面,小編就來具體介紹一下電力電子器件。

一、電力電子器件價(jià)格

電力電子器件價(jià)格:40塊錢左右一個。

電力電子器件價(jià)格

二、電力電子器件簡介

20世紀(jì)50年代,電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來的晶閘管,因其工作可靠、壽命長、體積小、開關(guān)速度快,而在電力電子電路中得到廣泛應(yīng)用。70年代初期,已逐步取代了汞弧閘流管。80年代,普通晶閘管的開關(guān)電流已達(dá)數(shù)千安,能承受的正、反向工作電壓達(dá)數(shù)千伏。在此基礎(chǔ)上,為適應(yīng)電力電子技術(shù)發(fā)展的需要,又開發(fā)出門極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管等一系列派生器件,以及單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應(yīng)晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。

三、電力電子器件優(yōu)點(diǎn)

電力二極管:結(jié)構(gòu)和原理簡單,工作可靠;晶閘管:承受電壓和電流容量在所有器件中最高IGBT:開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動,驅(qū)動功率?。蝗秉c(diǎn):開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTOGTR:耐壓高,電流大,開關(guān)特性好,通流能力強(qiáng),飽和壓降低;缺點(diǎn):開關(guān)速度低,為電流驅(qū)動,所需驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜,存在二次擊穿問題GTO:電壓、電流容量大,適用于大功率場合,具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),其通流能力很強(qiáng);缺點(diǎn):電流關(guān)斷增益很小,關(guān)斷時門極負(fù)脈沖電流大,開關(guān)速度低,驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜,開關(guān)頻率低MOSFET:開關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題;缺點(diǎn):電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。制約因素:耐壓,電流容量,開關(guān)的速度。

四、電力電子器件分類

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類:

1.半控型器件,例如晶閘管;

2.全控型器件,例如GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管),MOSFET(電力場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管);

3.不可控器件,例如電力二極管;

總結(jié),看完本文,相信大家肯定對電力電子器件有了跟多的了解了吧。值得一提的是,電力電子器件已經(jīng)延伸至美國了,這是我們值得驕傲的一件事兒。以后它的發(fā)展會越來越好。它從六十年代開始,一直發(fā)展至今到現(xiàn)在被人們廣泛認(rèn)可,也是一件很不容易的事兒,只是我們只看見了它光輝的一面,沒有看到它發(fā)展的艱辛。我們工作也是一樣,要經(jīng)過很多艱辛,才能得到自己想要的結(jié)果。

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